NTF5P03 - описание и поиск аналогов

 

NTF5P03 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTF5P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для NTF5P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTF5P03 технические параметры

 ..1. Size:103K  onsemi
 ntf5p03 nvf5p03.pdf pdf_icon

NTF5P03

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

 0.1. Size:143K  onsemi
 ntf5p03t3g.pdf pdf_icon

NTF5P03

 0.2. Size:849K  cn vbsemi
 ntf5p03t3g.pdf pdf_icon

NTF5P03

NTF5P03T3G www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS Loa

Другие MOSFET... NTDV5804N , NTF2955PT1G , NTF2955T1G , NTF3055-100T1 , NTF3055-160T1 , NTF3055-160T3LF , NTF3055L108T1G , NTF3055L175T1G , 5N65 , NTF6P02T3G , NTGD3147FT1G , NTGD3148NT1G , 2SK1085-M , 2SK1969-01 , 2SK2258 , 2SK2753 , 2SK3262 .

History: IRFP254 | NCE40P30K

 

 
Back to Top

 


 
.