NTF6P02T3G Todos los transistores

 

NTF6P02T3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTF6P02T3G

Código: 6P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 8.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTF6P02T3G

 

NTF6P02T3G Datasheet (PDF)

1.1. ntf6p02t3g.pdf Size:107K _update-mosfet

NTF6P02T3G
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NTF6P02T3G, NVF6P02T3G Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 http://onsemi.com Features • Low RDS(on) -10 AMPERES • Logic Level Gate Drive -20 VOLTS • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery RDS(on) = 44 mW (Typ.) • Avalanche Energy Specified • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF6P02T3G S • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

1.2. ntf6p02t3.pdf Size:138K _onsemi

NTF6P02T3G
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NTF6P02T3 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 http://onsemi.com Features Low RDS(on) -10 AMPERES Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery RDS(on) = 44 mW (Typ.) Avalanche Energy Specified Pb-Free Package is Available S Typical Applications G Power Management in Portables and Battery-Powered Products, i.e.: Cellular and C

 

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