FCH067N65S3 Todos los transistores

 

FCH067N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCH067N65S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de FCH067N65S3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FCH067N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  onsemi
 fch067n65s3.pdf pdf_icon

FCH067N65S3

FCH067N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 44 A, 67 mWDescription www.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 67 mW @ 10 V 44 Acharge performance. This advanced

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 fch067n65s3.pdf pdf_icon

FCH067N65S3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FCH067N65S3FEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , BUK437-500B , BUK637-500B , CSD30N30 , STP80NF70 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , FMP60N280S2HF .

History: FHD4N65E | P7006BL | NTMFS5C456NL

 

 
Back to Top

 


 
.