IPA057N06N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPA057N06N3
   Código: 057N06N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 38 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 61 nC
   Tiempo de subida (tr): 68 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPA057N06N3

IPA057N06N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:546K infineon
ipa057n06n3g ipa057n06n3 rev20.pdf

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..2. Size:201K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA057N06N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

6.1. Size:592K infineon
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 80VOptiMOS3 Power-TransistorIPA057N08N3 GData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketIPA057N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 5.7 mW Optimized technology for DC/DC

6.2. Size:536K infineon
ipa057n08n3.pdf

# ! ! (TM) #:A03 B53 7 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCDQ H35>5?B=1

6.3. Size:256K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPA057N08N3,IIPA057N08N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.7m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDevice for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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