Справочник MOSFET. IPA057N06N3

 

IPA057N06N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPA057N06N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IPA057N06N3

 

 

IPA057N06N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  infineon
ipa057n06n3g ipa057n06n3 rev20.pdf

IPA057N06N3
IPA057N06N3

pe # ! ! #:A03 B53 7 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCDQ H35>5?B=1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
ipa057n06n3.pdf

IPA057N06N3
IPA057N06N3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA057N06N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 6.1. Size:592K  infineon
ipa057n08n3g.pdf

IPA057N06N3
IPA057N06N3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 80VOptiMOS3 Power-TransistorIPA057N08N3 GData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketIPA057N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 5.7 mW Optimized technology for DC/DC

 6.2. Size:536K  infineon
ipa057n08n3.pdf

IPA057N06N3
IPA057N06N3

# ! ! (TM) #:A03 B53 7 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCDQ H35>5?B=1

 6.3. Size:256K  inchange semiconductor
ipa057n08n3.pdf

IPA057N06N3
IPA057N06N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA057N08N3,IIPA057N08N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.7m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDevice for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top