IPB156N22NFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPB156N22NFD
   Código: 156N22NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 220 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 66 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0156 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB156N22NFD

IPB156N22NFD Datasheet (PDF)

..1. Size:983K infineon
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IPB156N22NFDMOSFETDPAKOptiMOSTMFD Power-Transistor, 220 VFeatures N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to

..2. Size:208K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPB156N22NFDFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

9.1. Size:444K infineon
ipp15n03l ipb15n03l.pdf

IPP15N03LIPB15N03LOptiMOS Buck converter seriesProduct SummaryFeatureVDS 30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 12.6 m Logic LevelID 42 A Low On-Resistance RDS(on)P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ideal for f

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Liste

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