IPB156N22NFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB156N22NFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 220 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0156 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IPB156N22NFD MOSFET
IPB156N22NFD Datasheet (PDF)
ipb156n22nfd.pdf

IPB156N22NFDMOSFETDPAKOptiMOSTMFD Power-Transistor, 220 VFeatures N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to
ipb156n22nfd.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPB156N22NFDFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
ipp15n03l ipb15n03l.pdf

IPP15N03LIPB15N03LOptiMOS Buck converter seriesProduct SummaryFeatureVDS 30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 12.6 m Logic LevelID 42 A Low On-Resistance RDS(on)P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ideal for f
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History: BSO200P03S | NP82N055NHE | TT8K11 | 2SK2596
History: BSO200P03S | NP82N055NHE | TT8K11 | 2SK2596



Liste
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