2N7640-GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N7640-GA
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 250 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-276AA

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2N7640-GA Datasheet (PDF)

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2n7640-ga.pdf

2N7640-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 16 A RDS(ON) = 110 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Gate oxide free SiC switch S Suitable for connecting an anti-parallel diode Positive temperature coefficient for e

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: