2N7640-GA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7640-GA
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 250 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: TO-276AA
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2N7640-GA datasheet
2n7640-ga.pdf
2N7640-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 16 A RDS(ON) = 110 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Gate oxide free SiC switch S Suitable for connecting an anti-parallel diode Positive temperature coefficient for e
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History: STV7NA60
History: STV7NA60
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