IXFH20N85X Todos los transistores

 

IXFH20N85X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH20N85X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXFH20N85X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  ixys
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IXFH20N85X

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFP20N85XPower MOSFET ID25 = 20AIXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXFP)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-247 (IXFH)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 4

 ..2. Size:288K  ixys
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IXFH20N85X

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFA20N85XHVPower MOSFET ID25 = 20AIXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HVAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuo

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
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IXFH20N85X

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFH20N85XFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

 6.1. Size:149K  ixys
ixfh20n80q ixfk20n80q ixft20n80q.pdf pdf_icon

IXFH20N85X

IXFH20N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFK20N80Q ID25 = 20 APower MOSFETs IXFT20N80Q RDS(on) = 0.42 Q-ClassN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated,Low Qg, High dv/dtPreliminary DataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800

Otros transistores... 2N7639-GA , 2N7640-GA , IRFZ24NLPBF , 2N7635-GA , IRLB4132 , IRLI3705 , IXFA20N85XHV , IXFA34N65X2 , IRF640N , IXFH30N85X , IXFP12N65X2M , IXFP22N65X2M , IXTP24N65X2M , IXFP34N65X2 , MDE1932 , MDP10N055 , MDP1921 .

History: IPA70R360P7S

 

 
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