SW069R10VS Todos los transistores

 

SW069R10VS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SW069R10VS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 158.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0089 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SW069R10VS Datasheet (PDF)

1.1. sw069r10vs.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

SW069R10VS
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor SW069R10VS ·FEATURES ·With TO-252(DPAK) packaging ·High speed switching ·Easy to use ·Low on resistance, low gate charge ·Excellent avalanche characteristics. ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·LED backlighting ·Mot

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