SWHA069R10VS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWHA069R10VS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SWHA069R10VS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SWHA069R10VS datasheet

 ..1. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWHA069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V

 ..2. Size:747K  samwin
 swha069r10vs.pdf pdf_icon

SWHA069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9m )@VGS=4.5V 1 8 ID 60A Low RDS(ON) (Typ 7m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 7m @VGS=10V 100% Avalanche Tested Application Li Battery Protect Board, D Synchronous

 ..3. Size:708K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf pdf_icon

SWHA069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS 100V High ruggedness ID 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V RDS(ON) 7.1m @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m @VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A

 6.1. Size:916K  samwin
 swi069r06vt swha069r06vt.pdf pdf_icon

SWHA069R10VS

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m )@VGS=4.5V (Typ 6.0m )@VGS=10V RDS(ON) 7.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m @VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... NTE2393, NTP082N65S3F, NTPF082N65S3F, SIHA11N80E, SKS10N20, STP30NF10FP, SUD25N15-52-E3, SUP70040E, BS170, TK290P60Y, VN88AFD, 2SK3262-01MR, MTY30N50E, CMP80N06, CMB80N06, CMI80N06, BUK437-500A