SWHA069R10VS Todos los transistores

 

SWHA069R10VS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWHA069R10VS

Código: SW069R10VS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.4 V

Carga de compuerta (Qg): 45 nC

Tiempo de elevación (tr): 51 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1590 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0089 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6

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SWHA069R10VS Datasheet (PDF)

1.1. swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf Size:708K _update-mosfet

SWHA069R10VS
SWHA069R10VS

 SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V  High ruggedness ID : 70A  Low RDS(ON) (Typ 7.1mΩ)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1mΩ@VGS=10V  Low Gate Charge (Typ 45nC)  Improved dv/dt Capability 9.0mΩ@VGS=4.5V 1  100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3  A

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