Справочник MOSFET. SW069R10VS

 

SW069R10VS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SW069R10VS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 158.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 70 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0089 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SW069R10VS

 

 

SW069R10VS Datasheet (PDF)

1.1. sw069r10vs.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

SW069R10VS
SW069R10VS

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor SW069R10VS ·FEATURES ·With TO-252(DPAK) packaging ·High speed switching ·Easy to use ·Low on resistance, low gate charge ·Excellent avalanche characteristics. ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·LED backlighting ·Mot

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


SW069R10VS
  SW069R10VS
  SW069R10VS
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |
 

 

 

 

 
Back to Top