TK290P60Y Todos los transistores

 

TK290P60Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK290P60Y

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.29 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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TK290P60Y Datasheet (PDF)

1.1. tk290p60y.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK290P60Y ·FEATURES ·With To-252(DPAK) package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

5.1. tk2907attd03.pdf Size:97K _update

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 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors C TK2907ATTD03 TRANSISTOR WBFBP-03A (1.6×1.6×0.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor B E FEATURES 1. BASE C Complementary NPN Type available (TK2222ATTD03) 2. EMITTER 3. COLLECTOR BACK PPLICATION general purpose amplifier, swit

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