VN88AFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN88AFD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO220

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VN88AFD datasheet

 ..1. Size:73K  vishay
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VN88AFD

2N6661/VN88AFD Vishay Siliconix N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 2N6661 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.9 VN88AFD 80 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.29 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/CMOS D Low Threshold 1.6 V D Low-Voltage O

 8.1. Size:205K  inchange semiconductor
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VN88AFD

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor VN88AF FEATURES With TO-220 packaging Low switching loss Ultra low gate charge Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications AC-DC converters LED lighting Uninterruptible power supply ABSOLUTE

Otros transistores... NTPF082N65S3F, SIHA11N80E, SKS10N20, STP30NF10FP, SUD25N15-52-E3, SUP70040E, SWHA069R10VS, TK290P60Y, 13N50, 2SK3262-01MR, MTY30N50E, CMP80N06, CMB80N06, CMI80N06, BUK437-500A, BUK637-400B, NTGD4161PT1G