VN88AFD Todos los transistores

 

VN88AFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN88AFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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VN88AFD datasheet

 ..1. Size:73K  vishay
 2n6661 vn88afd.pdf pdf_icon

VN88AFD

2N6661/VN88AFD Vishay Siliconix N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 2N6661 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.9 VN88AFD 80 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.29 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/CMOS D Low Threshold 1.6 V D Low-Voltage O

 8.1. Size:205K  inchange semiconductor
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VN88AFD

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor VN88AF FEATURES With TO-220 packaging Low switching loss Ultra low gate charge Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications AC-DC converters LED lighting Uninterruptible power supply ABSOLUTE

Otros transistores... NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , IRFP260 , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G .

 

 
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