VN88AFD Todos los transistores

 

VN88AFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN88AFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.29 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Tiempo de elevación (tr): 15* nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VN88AFD

 

VN88AFD Datasheet (PDF)

1.1. 2n6661 vn88afd.pdf Size:73K _vishay

VN88AFD
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2N6661/VN88AFD Vishay Siliconix N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 2N6661 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.9 VN88AFD 80 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.29 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS D Low Threshold: 1.6 V D Low-Voltage Oper

4.1. vn88af.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor VN88AF ·FEATURES ·With TO-220 packaging ·Low switching loss ·Ultra low gate charge ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz ·APPLICATIONS ·Switching applications ·AC-DC converters ·LED lighting ·Uninterruptible power supply ·ABSOLUTE

 

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