VN88AFD - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VN88AFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.29 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для VN88AFD
VN88AFD технические параметры
2n6661 vn88afd.pdf
2N6661/VN88AFD Vishay Siliconix N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 2N6661 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.9 VN88AFD 80 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.29 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/CMOS D Low Threshold 1.6 V D Low-Voltage O
vn88af.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor VN88AF FEATURES With TO-220 packaging Low switching loss Ultra low gate charge Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications AC-DC converters LED lighting Uninterruptible power supply ABSOLUTE
Другие MOSFET... NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , IRFP260 , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G .
History: IRF9130SMD
History: IRF9130SMD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560


