2SK3262-01MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3262-01MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 45 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 45 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK3262-01MR

2SK3262-01MR Datasheet (PDF)

1.1. 2sk3262-01mr.pdf Size:135K _update-mosfet

FUJI POWER MOS-FET 2SK3262-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET TO-220F15 Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators 2.54 UPS (Uninterruptible Power Supply) 3. Source DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (Tc=25�

1.2. 2sk3262-01mr.pdf Size:135K _fuji

3.1. 2sk3262.pdf Size:301K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3262 ·FEATURES ·With TO-220F packaging ·High speed switching ·No secondary breadown ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VA

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: