2SK3262-01MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK3262-01MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для 2SK3262-01MR
2SK3262-01MR Datasheet (PDF)
2sk3262-01mr.pdf

FUJI POWER MOS-FET2SK3262-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOS-FETTO-220F15 FeaturesHigh speed switching Low on-resistanceNo secondary breadownLow driving power Avalanche-proofApplications Switching regulators 2.54 UPS (Uninterruptible Power Supply)3. Source DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratingsEquivalent circuit schematic(Tc=25
2sk3262.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3262FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingNo secondary breadownEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA
2sk3265.pdf

2SK3265 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK3265 Chopper Regulators DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.72 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 700 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS
2sk3268.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Power MOS FETs2SK3268Silicon N-channel power MOS FET Features Package Avalanche energy capability guaranteed Code High-speed switchingU-DL Low ON resistance Ron Pin Name No secondary breakdown1: Gate Low-voltage drive2: Drain High electrostatic energy capability3: Source
Другие MOSFET... SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3568 , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G .
History: SM4927BSKC | WTK4424 | NCE60ND20AK
History: SM4927BSKC | WTK4424 | NCE60ND20AK



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304