CMP80N06 Todos los transistores

 

CMP80N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMP80N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 260 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 76 nC

Tiempo de elevación (tr): 160 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 815 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0078 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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CMP80N06 Datasheet (PDF)

1.1. cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf Size:1054K _update-mosfet

CMP80N06 CMP80N06

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summery The 80N06 is N-ch MOSFET BVDSS RDSON ID with extreme high cell density , 60V 7.8m 80A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Control applications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif

1.2. cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf Size:1054K _cmos

CMP80N06 CMP80N06

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