CMP80N06 Todos los transistores

 

CMP80N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMP80N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 815 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CMP80N06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CMP80N06 datasheet

 ..1. Size:1054K  cmos
cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf pdf_icon

CMP80N06

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summery The 80N06 is N-ch MOSFET BVDSS RDSON ID with extreme high cell density , 60V 7.8m 80A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Control applications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif

Otros transistores... STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , SKD502T , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G .

 

 
Back to Top

 


CMP80N06  CMP80N06  CMP80N06 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G | APG045N85D | APP540 | APP50N06 | APG250N01Q | APG095N01K | APG095N01 | APG082N01 | APG080N12

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793

 


 
.