NTJS3157NT4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTJS3157NT4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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NTJS3157NT4 datasheet

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NTJS3157NT4

NTJS3157N Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N-Channel, SC-88 Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life http //onsemi.com Fast Switching for Increased Circuit Efficiency SC-88 Small Outline (2 x 2 mm) for Maximum Circuit Board V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Utilization, Same as SC-70-6 45 mW @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available 4.0

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NTJS3157NT4

NTJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88 Features http //onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection 45 mW @ -4.5 V Pb-Free Packages are Available -12 V 67 mW @ -2.5 V -3.3 A Applications

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NTJS3157NT4

NTJS3151P, NVJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88 Features www.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection 45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

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