NTK3134NT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTK3134NT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT-723

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NTK3134NT1G datasheet

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NTK3134NT1G

NTK3134N Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SOT-723 Features http //onsemi.com N channel Switch with Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC89 0.20 W @ 4.5 V 890 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating Operated at Low Logic Level Gate Drive 0.26 W @ 2.5 V 790 mA 20 V These

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NTK3134NT1G

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NTK3134NT1G

NTK3134N Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SOT-723 Features www.onsemi.com N-Channel Switch with Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC89 0.20 W @ 4.5 V 890 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating Operated at Low Logic Level Gate Drive 0.26 W @ 2.5 V 790 mA 20 V These Dev

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NTK3134NT1G

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