NTK3134NT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTK3134NT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT-723

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTK3134NT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTK3134NT1G даташит

 ..1. Size:58K  onsemi
 ntk3134n-d ntk3134nt1g.pdf pdf_icon

NTK3134NT1G

NTK3134N Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SOT-723 Features http //onsemi.com N channel Switch with Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC89 0.20 W @ 4.5 V 890 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating Operated at Low Logic Level Gate Drive 0.26 W @ 2.5 V 790 mA 20 V These

 0.1. Size:1889K  cn tech public
 tpntk3134nt1g.pdf pdf_icon

NTK3134NT1G

 6.1. Size:61K  onsemi
 ntk3134n.pdf pdf_icon

NTK3134NT1G

NTK3134N Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SOT-723 Features www.onsemi.com N-Channel Switch with Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC89 0.20 W @ 4.5 V 890 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating Operated at Low Logic Level Gate Drive 0.26 W @ 2.5 V 790 mA 20 V These Dev

 8.1. Size:59K  onsemi
 ntk3139p-d ntk3139pt1g.pdf pdf_icon

NTK3134NT1G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTJS3157NT4, NTJS4151PT1, NTJS4151PT1G, NTJS4160NT1G, NTJS4405NT1, NTJS4405NT4, NTK3043NAT5G, NTK3043NT1G, IRF730, NTK3139PT1G, NTK3142PT1G, NTLGF3402PT1G, NTLGF3501NT2G, NTLJD3119CTAG, NTLJD3119CTBG, NTLJD3182FZTAG, NTLJD3182FZTBG