SDF1NA60JAB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF1NA60JAB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125(max) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
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SDF1NA60JAB Datasheet (PDF)
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History: GSM3406AS | UT3N06G-TM3-T
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