SDF1NA60JAB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF1NA60JAB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF1NA60JAB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF1NA60JAB даташит

 6.1. Size:158K  solitron
 sdf1na60.pdf pdf_icon

SDF1NA60JAB

Другие IGBT... SDF13N90, SDF140, SDF150JAA, SDF150JAB, SDF150NA40HE, SDF15N60GAF, SDF17N60, SDF1NA60JAA, IRF530, SDF1NA60JDA, SDF200NA10HE, SDF20N60JEA, SDF20N60JEB, SDF20N60JEC, SDF20N60JED, SDF21N60GAF, SDF220