NTMD4884NFR2G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTMD4884NFR2G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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NTMD4884NFR2G datasheet

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NTMD4884NFR2G

NTMD4884NF Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 5.7 A, Single N-Channel with 30 V, 2.8 A, Schottky Barrier Diode Features FETKYt Surface Mount Package Saves Board Space http //onsemi.com Independent Pin-Out for MOSFET and Schottky Allowing for Design Flexibility N-CHANNEL MOSFET Low RDS(on) MOSFET and Low VF Schottky to Minimize V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Conduction L

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NTMD4884NFR2G

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NTMD4884NFR2G

NTMD4840N Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Dual N-Channel, SOIC-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Dual SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max This is a Pb-Free Device 24 mW @ 10 V 30 V 7.5 A Applications

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NTMD4884NFR2G

NTMD4N03R2 Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N-Channel SO-8 Dual Features http //onsemi.com Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance Provides VDSS RDS(ON) Typ ID Max Higher Efficiency and Extends Battery Life 30 V 48 mW @ VGS = 10 V 4.0 A - RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ) - RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ) Miniature S

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