NTMD5836NLR2G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTMD5836NLR2G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2G Datasheet (PDF)
ntmd5836nlr2g.pdf
NTMD5836NLPower MOSFET40 V, Dual N-Channel, SOIC-8Features Asymmetrical N Channelshttp://onsemi.com Low RDS(on) Low CapacitanceN-Channel 1 N-Channel 2 Optimized Gate ChargeD1 D2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantG1 G2ID Max(Notes 1 and 2)V(BR)DSS RDS(on) MaxS1 S2Channel 1 40 V 12 mW @ 10 V 11 A16 mW @ 4.5 V
ntmd5836nl.pdf
NTMD5836NLPower MOSFET40 V, Dual N-Channel, SOIC-8Features Asymmetrical N Channelshttp://onsemi.com Low RDS(on) Low Capacitance Optimized Gate ChargeN-Channel 1 N-Channel 2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS D1 D2CompliantID MaxG1 G2(Notes 1 and 2)V(BR)DSS RDS(on) MaxChannel 1 40 V 12 mW @ 10 V 11 AS1 S216 mW @ 4.5 V
ntmd5838nl.pdf
NTMD5838NLPower MOSFET40 V, 8.9 A, 25 mW, Dual N-Channel SO-8Features Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)25 mW @ 10 V40 V 8.9 AParameter Symbol Value Unit30.8 mW @ 4.5 VDra
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History: NTLGD3502N
History: NTLGD3502N
Liste
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