NTMD5836NLR2G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTMD5836NLR2G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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NTMD5836NLR2G datasheet

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NTMD5836NLR2G

NTMD5836NL Power MOSFET 40 V, Dual N-Channel, SOIC-8 Features Asymmetrical N Channels http //onsemi.com Low RDS(on) Low Capacitance N-Channel 1 N-Channel 2 Optimized Gate Charge D1 D2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant G1 G2 ID Max (Notes 1 and 2) V(BR)DSS RDS(on) Max S1 S2 Channel 1 40 V 12 mW @ 10 V 11 A 16 mW @ 4.5 V

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NTMD5836NLR2G

NTMD5836NL Power MOSFET 40 V, Dual N-Channel, SOIC-8 Features Asymmetrical N Channels http //onsemi.com Low RDS(on) Low Capacitance Optimized Gate Charge N-Channel 1 N-Channel 2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS D1 D2 Compliant ID Max G1 G2 (Notes 1 and 2) V(BR)DSS RDS(on) Max Channel 1 40 V 12 mW @ 10 V 11 A S1 S2 16 mW @ 4.5 V

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NTMD5836NLR2G

NTMD5838NL Power MOSFET 40 V, 8.9 A, 25 mW, Dual N-Channel SO-8 Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 25 mW @ 10 V 40 V 8.9 A Parameter Symbol Value Unit 30.8 mW @ 4.5 V Dra

Otros transistores... NTLUS3A90PZTBG, NTLUS3C18PZ, NTLUS4930N, NTLUS4C12N, NTLUS4C16N, NTMD4184PFR2G, NTMD4884NFR2G, NTMD4N03, IRFB3607, NTMD6N03R2G, NTMD6P02R2G, NTMFD4901NF, NTMFD4902NF, NTMFD4C20N, NTMFD4C85N, NTMFD4C86N, NTMFD4C87N