NTMFD4C20N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTMFD4C20N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm

Encapsulados: DFN8

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NTMFD4C20N datasheet

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NTMFD4C20N

NTMFD4C20N Dual N-Channel Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual N-Channel SO8FL http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space 7.3 mW @ 10 V Minimized Parasitic Inductances Q1 Top FET 18 A Optimized Devices to Reduce Power Losses 30 V 10.8 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free, Halog

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NTMFD4C20N

NTMFD4C87N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 20 A / Low Side 26 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 5.4 mW @ 10 V Q1 Top FET Compliant 20 A 3

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NTMFD4C20N

NTMFD4C85N PowerPhase, Dual N-Channel SO8FL 30 V, High Side 25 A / Low Side 49 A Features Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space www.onsemi.com Minimized Parasitic Inductances Optimized Devices to Reduce Power Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.0 mW @ 10 V Q1 Top FET Compliant 25 A 3

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