SDF2N100JAB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SDF2N100JAB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254

Otros transistores... SDF230JAB , SDF230JDA , SDF240 , SDF24N50GAF , SDF250JAA , SDF250JAB , SDF26N50 , SDF2N100JAA , IRFB31N20D , SDF320JAA , SDF320JAB , SDF320JDA , SDF340JAA , SDF340JAB , SDF350 , SDF360JEA , SDF360JEB .