SDF2N100JAB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF2N100JAB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF2N100JAB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF2N100JAB даташит

 6.1. Size:171K  solitron
 sdf2n100.pdf pdf_icon

SDF2N100JAB

Другие IGBT... SDF230JAB, SDF230JDA, SDF240, SDF24N50GAF, SDF250JAA, SDF250JAB, SDF26N50, SDF2N100JAA, 18N50, SDF320JAA, SDF320JAB, SDF320JDA, SDF340JAA, SDF340JAB, SDF350, SDF360JEA, SDF360JEB