NTP30N06L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTP30N06L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: TO-220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de NTP30N06L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTP30N06L datasheet

 ..1. Size:75K  onsemi
 ntb30n06l ntp30n06l ntp30n06l ntb30n06l.pdf pdf_icon

NTP30N06L

 6.1. Size:78K  onsemi
 ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf pdf_icon

NTP30N06L

NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G

 8.1. Size:158K  onsemi
 ntp30n20 ntp30n20g.pdf pdf_icon

NTP30N06L

NTP30N20 Preferred Device Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220 http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete 30 AMPERES Fast Recovery Diode 200 VOLTS Avalanche Energy Specified 68 mW @ VGS = 10 V (Typ) IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available* N-Channel D

Otros transistores... NTP18N06, NTP18N06L, NTP22N06, NTP22N06L, NTP27N06, NTP27N06L, NTP2955G, NTP30N06, AO4407A, NTP30N20G, NTP35N15G, NTP4302, NTP45N06, NTP45N06L, NTP52N10, NTP5404NRG, NTP5411NG