NTP30N20G Todos los transistores

 

NTP30N20G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP30N20G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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NTP30N20G datasheet

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NTP30N20G

NTP30N20 Preferred Device Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220 http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete 30 AMPERES Fast Recovery Diode 200 VOLTS Avalanche Energy Specified 68 mW @ VGS = 10 V (Typ) IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available* N-Channel D

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NTP30N20G

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NTP30N20G

NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G

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