NTP30N20G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP30N20G
Código: 30N20G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP30N20G
NTP30N20G Datasheet (PDF)
ntp30n20 ntp30n20g.pdf
NTP30N20Preferred DevicePower MOSFET30 Amps, 200 VoltsN-Channel Enhancement-Mode TO-220http://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete30 AMPERESFast Recovery Diode200 VOLTS Avalanche Energy Specified68 mW @ VGS = 10 V (Typ) IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available*N-ChannelD
ntb30n06l ntp30n06l ntp30n06l ntb30n06l.pdf
NTP30N06L, NTB30N06LPower MOSFET30 Amps, 60 Volts, Logic Level,N-Channel TO-220 and D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.30 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 46 mW Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelDTypical Applications Power Supplies
ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf
NTP30N06, NTB30N06Power MOSFET30 Amps, 60 VoltsN-Channel TO-220 and D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.30 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelDTypical Applications Power Supplies ConvertersG
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History: NTMFS6H852NL
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