NTP60N06L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTP60N06L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 576 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 675 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-220

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NTP60N06L datasheet

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NTP60N06L

NTP60N06L, NTB60N06L Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N-Channel TO-220 and D2PAK http //onsemi.com Designed for low voltage, high speed switching applications in 60 AMPERES, 60 VOLTS power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. RDS(on) = 16 mW Features N-Channel Pb-Free Packages are Available D Typical Applications Power Supplies C

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 ntb60n06g ntp60n06 ntp60n06 ntb60n06.pdf pdf_icon

NTP60N06L

NTP60N06, NTB60N06 Power MOSFET 60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 60 VOLTS, 60 AMPERES Features RDS(on) = 14 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters Pow

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NTP60N06L

NTP60N06 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization 60 0.012 at VGS = 4.5 V 50 D TO-220AB G S D S G N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit

Otros transistores... NTP5404NRG, NTP5411NG, NTP5412NG, NTP5426NG, NTP5860N, NTP5863NG, NTP5864NG, NTP60N06, IRFP460, NTP6410ANG, NTP6411ANG, NTP6412ANG, NTP6413ANG, NTP65N02R, NTP75N03-6G, NTP75N03L09, NTP75N03R