NTP6412ANG Todos los transistores

 

NTP6412ANG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP6412ANG
   Código: 6412AN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0182 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTP6412ANG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  onsemi
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NTP6412ANG

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable

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NTP6412ANG

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th

 5.2. Size:139K  onsemi
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NTP6412ANG

NTB6412AN, NTP6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-Channe

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NTP6412ANG

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANN-Channel Power MOSFET100 V, 42 A, 28 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 28 mW @ 10 V 42 AQualified and PPAP Capable The

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