Справочник MOSFET. NTP6412ANG

 

NTP6412ANG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP6412ANG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0182 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NTP6412ANG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP6412ANG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  onsemi
ntb6412ang ntp6412ang.pdfpdf_icon

NTP6412ANG

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable

 5.1. Size:271K  onsemi
ntb6412an ntp6412an nvb6412an.pdfpdf_icon

NTP6412ANG

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th

 5.2. Size:139K  onsemi
ntb6412an ntp6412an.pdfpdf_icon

NTP6412ANG

NTB6412AN, NTP6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-Channe

 8.1. Size:113K  onsemi
ntb6413ang ntp6413ang.pdfpdf_icon

NTP6412ANG

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANN-Channel Power MOSFET100 V, 42 A, 28 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 28 mW @ 10 V 42 AQualified and PPAP Capable The

Другие MOSFET... NTP5426NG , NTP5860N , NTP5863NG , NTP5864NG , NTP60N06 , NTP60N06L , NTP6410ANG , NTP6411ANG , IRF640N , NTP6413ANG , NTP65N02R , NTP75N03-6G , NTP75N03L09 , NTP75N03R , NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 .

History: RU80T4H | SWQI6N70DA | HRP72N06K | JCS24N50ABH | IRF7316QPBF | IRF6893MPBF | IPS09N03LA

 

 
Back to Top

 


 
.