NTP8G206N Todos los transistores

 

NTP8G206N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP8G206N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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NTP8G206N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  onsemi
 ntp8g206n.pdf pdf_icon

NTP8G206N

NTP8G206NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 150 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 150 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

 7.1. Size:104K  onsemi
 ntp8g202n.pdf pdf_icon

NTP8G206N

NTP8G202NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 290 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 290 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

Otros transistores... NTP65N02R , NTP75N03-6G , NTP75N03L09 , NTP75N03R , NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 , NTP8G202N , 2SK3878 , NTP90N02 , NTQS6463R2 , NTR0202PLT1 , NTR1P02L , NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G , NTR3161NT1G .

History: SSN3541 | STH175N4F6-2AG | LSG80R980GT | AP4430GM-HF | WM02P40M3 | SFG10S08DF | PB210BV

 

 
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