NTP8G206N - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTP8G206N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для NTP8G206N
NTP8G206N технические параметры
ntp8g206n.pdf
NTP8G206N Power GaN Cascode Transistor 600 V, 150 mW Features Fast Switching Extremely Low Qrr www.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) TYP Compliant 600 V 150 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Volta
ntp8g202n.pdf
NTP8G202N Power GaN Cascode Transistor 600 V, 290 mW Features Fast Switching Extremely Low Qrr www.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) TYP Compliant 600 V 290 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Volta
Другие MOSFET... NTP65N02R , NTP75N03-6G , NTP75N03L09 , NTP75N03R , NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 , NTP8G202N , P55NF06 , NTP90N02 , NTQS6463R2 , NTR0202PLT1 , NTR1P02L , NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G , NTR3161NT1G .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor



