NTR3162PT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTR3162PT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de NTR3162PT1G MOSFET
Principales características: NTR3162PT1G
ntr3162pt1g.pdf
NTR3162P Power MOSFET --20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23 Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltage http //onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free Device V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management --20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM 120 m @--1.8 V --1.7 A
ntr3162p.pdf
NTR3162P Power MOSFET --20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23 Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltage http //onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free Device V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management --20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM 120 m @--1.8 V --1.7 A
ntr3161n ntr3161nt1g.pdf
NTR3161N Power MOSFET 20 V, 3.3 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low RDS(on) Low Gate Charge http //onsemi.com Low Threshold Voltage Halide-Free V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 50 mW @ 4.5 V 3.3 A Applications 20 V 63 mW @ 2.5 V 3.0 A DC-DC Conversion 87 mW @ 1.8 V 2.5 A Battery Management Load/Power Switch SIMPLIFIED SC
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