NTR3162PT1G Todos los transistores

 

NTR3162PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTR3162PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTR3162PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  onsemi
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NTR3162PT1G

NTR3162PPower MOSFET--20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltagehttp://onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free DeviceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management--20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM120 m @--1.8 V --1.7 A

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NTR3162PT1G

NTR3162PPower MOSFET--20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltagehttp://onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free DeviceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management--20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM120 m @--1.8 V --1.7 A

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NTR3162PT1G

NTR3161NPower MOSFET20 V, 3.3 A, Single N-Channel, SOT-23Features Low RDS(on) Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low Threshold Voltage Halide-FreeV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device50 mW @ 4.5 V 3.3 AApplications20 V 63 mW @ 2.5 V 3.0 A DC-DC Conversion87 mW @ 1.8 V 2.5 A Battery Management Load/Power SwitchSIMPLIFIED SC

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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