NTR3162PT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTR3162PT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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NTR3162PT1G datasheet

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NTR3162PT1G

NTR3162P Power MOSFET --20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23 Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltage http //onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free Device V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management --20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM 120 m @--1.8 V --1.7 A

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NTR3162PT1G

NTR3162P Power MOSFET --20 V, --3.6 A, Single P--Channel, SOT--23 Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage --0.3 V Low Threshold Voltage http //onsemi.com Fast Switching Speed This is a Pb--Free Device V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 70 m @--4.5 V --2.2 A Battery Management --20 V 95 m @--2.5 V --1.9 A LoadSwitchinPWM 120 m @--1.8 V --1.7 A

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NTR3162PT1G

NTR3161N Power MOSFET 20 V, 3.3 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low RDS(on) Low Gate Charge http //onsemi.com Low Threshold Voltage Halide-Free V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 50 mW @ 4.5 V 3.3 A Applications 20 V 63 mW @ 2.5 V 3.0 A DC-DC Conversion 87 mW @ 1.8 V 2.5 A Battery Management Load/Power Switch SIMPLIFIED SC

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