NTR4502PT1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTR4502PT1 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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NTR4502PT1 datasheet
ntr4502pt1 nvtr4502p.pdf
NTR4502P, NVTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P 240 mW @ -4.5 V
ntr4502pt1g.pdf
NTR4502PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT
ntr4502p.pdf
NTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A Pb-Free Packages are Available 240 mW @ -4.5 V Applicatio
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NTR4502P, NVTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P 240 mW @ -4.5 V
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SI7946ADP | UTT60P03
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Liste
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