NTR4502PT1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTR4502PT1 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTR4502PT1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTR4502PT1 даташит
ntr4502pt1 nvtr4502p.pdf
NTR4502P, NVTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P 240 mW @ -4.5 V
ntr4502pt1g.pdf
NTR4502PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT
ntr4502p.pdf
NTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A Pb-Free Packages are Available 240 mW @ -4.5 V Applicatio
ntr4502p nvtr4502p.pdf
NTR4502P, NVTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P 240 mW @ -4.5 V
Другие IGBT... NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, NTR3A30PZ, NTR4003NT1G, NTR4101PT1G, NTR4170NT1G, NTR4171PT1G, NTR4501NT1, AO3401, NTR4503NT1, NTR5103N, NTR5105P, NTR5198NL, NTRV4101P, NTS2101PT1, NTS4001NT1, NTS4101PT1
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: P7510EEU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent





