NTS2101PT1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTS2101PT1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SC-70

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NTS2101PT1 datasheet

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NTS2101PT1

NTS2101P Power MOSFET -8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70 Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http //onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm) 65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available -8.0 V 78 mW @ -2.5 V -1.4 A Applications High

 0.1. Size:2292K  cn vbsemi
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NTS2101PT1

NTS2101PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET 4.3 nC - 20 0.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 6.1. Size:61K  onsemi
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NTS2101PT1

NTS2101P Power MOSFET -8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70 Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http //onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm) 65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available -8.0 V 78 mW @ -2.5 V -1.4 A Applications High

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