NTS4001NT1 Todos los transistores

 

NTS4001NT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTS4001NT1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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Principales características: NTS4001NT1

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NTS4001NT1

NTS4001N, NVS4001N Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70 Features Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N 1.0 W @ 4.0 V 270 mA 30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.5 W @ 2.5 V

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NTS4001NT1

NTS4001N, NVS4001N MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, SC-70 30 V, 270 mA http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching 1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 270 mA 30 V ESD Protected Gate 1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

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NTS4001NT1

NTS4001N Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70 Features Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate 1.0 W @ 4.0 V Pb-Free Package is Available 270 mA 30 V 1.5 W @ 2.5 V Applications Low Side Load Switch SC-70/SOT-323 (3 LEADS) Li-Ion Batte

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