NTS4001NT1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTS4001NT1
   Código: TD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTS4001NT1

NTS4001NT1 Datasheet (PDF)

..1. Size:123K onsemi
nts4001nt1 nvs4001n.pdf

NTS4001N, NVS4001NSmall Signal MOSFET30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70Features Low Gate Charge for Fast Switchinghttp://onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N1.0 W @ 4.0 V270 mA30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.5 W @ 2.5 V

6.1. Size:113K onsemi
nts4001n nvs4001n.pdf

NTS4001N, NVS4001NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-7030 V, 270 mAhttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6270 mA30 V ESD Protected Gate1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

6.2. Size:59K onsemi
nts4001n-d.pdf

NTS4001NSmall Signal MOSFET30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70Features Low Gate Charge for Fast Switching http://onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate1.0 W @ 4.0 V Pb-Free Package is Available270 mA30 V1.5 W @ 2.5 VApplications Low Side Load SwitchSC-70/SOT-323 (3 LEADS) Li-Ion Batte

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