NTS4001NT1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTS4001NT1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: SC-70

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NTS4001NT1 datasheet

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NTS4001NT1

NTS4001N, NVS4001N Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70 Features Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N 1.0 W @ 4.0 V 270 mA 30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.5 W @ 2.5 V

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NTS4001NT1

NTS4001N, NVS4001N MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, SC-70 30 V, 270 mA http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching 1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 270 mA 30 V ESD Protected Gate 1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

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NTS4001NT1

NTS4001N Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70 Features Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate 1.0 W @ 4.0 V Pb-Free Package is Available 270 mA 30 V 1.5 W @ 2.5 V Applications Low Side Load Switch SC-70/SOT-323 (3 LEADS) Li-Ion Batte

Otros transistores... NTR4501NT1, NTR4502PT1, NTR4503NT1, NTR5103N, NTR5105P, NTR5198NL, NTRV4101P, NTS2101PT1, 20N50, NTS4101PT1, NTS4172NT1G, NTS4173PT1G, NTS4409N, NTTD4401FR2, NTTFS3A08PZ, NTTFS3A08PZTAG, NTTFS4821NTAG