NTTS2P03R2 Todos los transistores

 

NTTS2P03R2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTTS2P03R2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO8
 

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NTTS2P03R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  onsemi
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NTTS2P03R2

NTTS2P03R2Power MOSFET-2.48 Amps, -30 VoltsP-Channel Enhancement ModeSingle Micro8t PackageFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life-2.48 AMPERES Miniature Micro8 Surface Mount Package-30 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery85 mW @ VGS = -10 V Micro8 Mounting Information Provided Pb-Free Package

 7.1. Size:144K  onsemi
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NTTS2P03R2

NTTS2P02R2Power MOSFET-2.4 Amps, -20 VoltsSingle P-Channel Micro8thttp://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)-2.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Miniature Micro-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 90 mW Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Micro8 Mounting Information ProvidedSingle P-Channel P

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History: NTTFS002N04C | WNMD3014

 

 
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