NTTS2P03R2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTTS2P03R2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Encapsulados: MICRO8
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NTTS2P03R2 datasheet
ntts2p03r2-d ntts2p03r2.pdf
NTTS2P03R2 Power MOSFET -2.48 Amps, -30 Volts P-Channel Enhancement Mode Single Micro8t Package Features http //onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life -2.48 AMPERES Miniature Micro8 Surface Mount Package -30 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery 85 mW @ VGS = -10 V Micro8 Mounting Information Provided Pb-Free Package
ntts2p02r2.pdf
NTTS2P02R2 Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts Single P-Channel Micro8t http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -2.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Miniature Micro-8 Surface Mount Package RDS(on) = 90 mW Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Micro8 Mounting Information Provided Single P-Channel P
Otros transistores... NTTFS4H05N , NTTFS4H05NTAG , NTTFS4H07N , NTTFS5116PLTAG , NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG , NTTFS5826NLTAG , NTTS2P02R2 , IRFB31N20D , NTY100N10 , NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , NTZS3151PT1G , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L .
History: 2SK3364-01 | IRF8010S | 2SK3857MFV
History: 2SK3364-01 | IRF8010S | 2SK3857MFV
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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