Справочник MOSFET. NTTS2P03R2

 

NTTS2P03R2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTTS2P03R2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: MICRO8
 

 Аналог (замена) для NTTS2P03R2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTTS2P03R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  onsemi
 ntts2p03r2-d ntts2p03r2.pdf pdf_icon

NTTS2P03R2

NTTS2P03R2Power MOSFET-2.48 Amps, -30 VoltsP-Channel Enhancement ModeSingle Micro8t PackageFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life-2.48 AMPERES Miniature Micro8 Surface Mount Package-30 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery85 mW @ VGS = -10 V Micro8 Mounting Information Provided Pb-Free Package

 7.1. Size:144K  onsemi
 ntts2p02r2.pdf pdf_icon

NTTS2P03R2

NTTS2P02R2Power MOSFET-2.4 Amps, -20 VoltsSingle P-Channel Micro8thttp://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)-2.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Miniature Micro-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 90 mW Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Micro8 Mounting Information ProvidedSingle P-Channel P

Другие MOSFET... NTTFS4H05N , NTTFS4H05NTAG , NTTFS4H07N , NTTFS5116PLTAG , NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG , NTTFS5826NLTAG , NTTS2P02R2 , IRF730 , NTY100N10 , NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , NTZS3151PT1G , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L .

History: TK7P60W | JSM36326 | IRLZ44S | PHP36N06E | MTE65N20H8 | STB24N65M2 | NCEP058N85M

 

 
Back to Top

 


 
.