3N155 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N155 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 600 Ohm
Encapsulados: TO-206AF
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3N155 datasheet
Otros transistores... ME7170-G, TP0610T, WML07N65C2, WMM07N65C2, WMO07N65C2, WMP07N65C2, WMG07N65C2, WMH07N65C2, IRF1404, 3N156, 3N172, 3N173, 3N188, 3N189, 3N60AF, 3N60F, 3N60G
History: TF68N75
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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