3N155. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N155

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 600 Ohm

Тип корпуса: TO-206AF

Аналог (замена) для 3N155

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N155 даташит

 ..1. Size:81K  njs
3n155 3n156.pdfpdf_icon

3N155

Другие IGBT... ME7170-G, TP0610T, WML07N65C2, WMM07N65C2, WMO07N65C2, WMP07N65C2, WMG07N65C2, WMH07N65C2, IRF1404, 3N156, 3N172, 3N173, 3N188, 3N189, 3N60AF, 3N60F, 3N60G