3N172 Todos los transistores

 

3N172 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N172
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-72
 

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3N172 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  calogic
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3N172

Diode Protected P-ChannelEnhancement Mode MOSFETLLCGeneral Purpose Amplifier/Switch3N172 / 3N173FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A High Input Impedance Diode Protected Gate Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N172. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V 3N173. . . . . . . . . . .

Otros transistores... WML07N65C2 , WMM07N65C2 , WMO07N65C2 , WMP07N65C2 , WMG07N65C2 , WMH07N65C2 , 3N155 , 3N156 , IRF640N , 3N173 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F , 3N60G , 3N80A , 3N80AF .

History: SWHA130R06VT | SI5999EDU

 

 
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