3N172. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N172

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm

Тип корпуса: TO-72

Аналог (замена) для 3N172

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N172 даташит

 ..1. Size:30K  calogic
 3n172 3n173.pdf pdf_icon

3N172

Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET LLC General Purpose Amplifier/Switch 3N172 / 3N173 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A High Input Impedance Diode Protected Gate Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N172. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V 3N173. . . . . . . . . . .

Другие IGBT... WML07N65C2, WMM07N65C2, WMO07N65C2, WMP07N65C2, WMG07N65C2, WMH07N65C2, 3N155, 3N156, IRFB4110, 3N173, 3N188, 3N189, 3N60AF, 3N60F, 3N60G, 3N80A, 3N80AF