3N172 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3N172
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm
Тип корпуса: TO-72
Аналог (замена) для 3N172
3N172 Datasheet (PDF)
3n172 3n173.pdf
Diode Protected P-ChannelEnhancement Mode MOSFETLLCGeneral Purpose Amplifier/Switch3N172 / 3N173FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A High Input Impedance Diode Protected Gate Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N172. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V 3N173. . . . . . . . . . .
Другие MOSFET... WML07N65C2 , WMM07N65C2 , WMO07N65C2 , WMP07N65C2 , WMG07N65C2 , WMH07N65C2 , 3N155 , 3N156 , IRFB4110 , 3N173 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F , 3N60G , 3N80A , 3N80AF .
History: STB12NM60N-1 | UTT50P06 | BL5N135-W | MTN3607F3
History: STB12NM60N-1 | UTT50P06 | BL5N135-W | MTN3607F3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844


