SDF430JAB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF430JAB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 32(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 23(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
Otros transistores... SDF360JEA , SDF360JEB , SDF360JEC , SDF360JED , SDF3N90 , SDF40N50JAM , SDF420 , SDF430JAA , AO3407 , SDF430JDA , SDF440 , SDF450JAA , SDF450JAB , SDF460JEA , SDF460JEB , SDF460JEC , SDF460JED .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F