SDF430JAB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF430JAB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF430JAB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF430JAB даташит

 8.1. Size:160K  solitron
 sdf430.pdf pdf_icon

SDF430JAB

Другие IGBT... SDF360JEA, SDF360JEB, SDF360JEC, SDF360JED, SDF3N90, SDF40N50JAM, SDF420, SDF430JAA, IRFZ48N, SDF430JDA, SDF440, SDF450JAA, SDF450JAB, SDF460JEA, SDF460JEB, SDF460JEC, SDF460JED