3SK323 Todos los transistores

 

3SK323 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK323
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 6 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC61AA
 

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3SK323 Datasheet (PDF)

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3SK323

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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3SK323

3SK324 Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier REJ03G0532-0100 Rev.1.00 May 18, 2005 Features Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz) High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz) Capable low voltage operation; +B = 3.5 V High Endurance Voltage; VDS = 6 V Outline RENESAS Package code: PTSP0004ZA-A(Package n

Otros transistores... 3SK295 , 3SK296 , 3SK297 , 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 , 3SK317 , 3SK319 , IRF1010E , MSAFX40N30A , 40P03 , 4AK17 , 4N60A , 4N60AF , 4N60G , 4N80A , 4N80AF .

History: SL160N03R | AP4407GM | STP20N65M5 | BRFL70R360C | IRLR3110Z | BRI7N65 | 3SK297

 

 
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