6HP04MH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6HP04MH
Código: QV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.37 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 0.84 nC
Tiempo de subida (tr): 15.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8.5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 6HP04MH
6HP04MH Datasheet (PDF)
6hp04mh.pdf
Ordering number : ENA0368A6HP04MHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 Single MCPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) I
6hp04ch.pdf
Ordering number : ENA1039A6HP04CHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 , Single CPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)
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