6HP04MH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6HP04MH
Código: QV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.84 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 6HP04MH
6HP04MH Datasheet (PDF)
6hp04mh.pdf
Ordering number : ENA0368A6HP04MHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 Single MCPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) I
6hp04ch.pdf
Ordering number : ENA1039A6HP04CHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 , Single CPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)
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History: FDS8858CZ
History: FDS8858CZ
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