6HP04MH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 6HP04MH
Маркировка: QV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.37 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.84 nC
Время нарастания (tr): 15.2 ns
Выходная емкость (Cd): 8.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-323F
6HP04MH Datasheet (PDF)
6hp04mh.pdf
Ordering number : ENA0368A6HP04MHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 Single MCPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) I
6hp04ch.pdf
Ordering number : ENA1039A6HP04CHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 , Single CPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
