8N80AF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 8N80AF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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8N80AF datasheet

 ..1. Size:439K  nell
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8N80AF

RoHS 8N80 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (8A, 800Volts) DESCRIPTION The Nell 8N80 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 8A, fast switching speed, low on-state resistance, D breakdown voltage rating of 800V ,and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications. such as sw

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8N80AF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Valu

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8N80AF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Sy

Otros transistores... MSAFA75N10C, MSAFX76N07A, 7N60AF, 7N60H, 7N90A, 7N90AF, 8N60H, 8N80A, IRF830, 8N80B, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, AMA2N7002